0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Part Number | FQD12N20LTM-F085 | Výrobce | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Dostupné množství | 115874 pcs | Datový list | 1.FQD12N20LTM-F085.pdf2.FQD12N20LTM-F085.pdf |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | D-Pak |
| Série | Automotive, AEC-Q101, QFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Ostatní jména | FQD12N20LTM_F085 FQD12N20LTM_F085-ND FQD12N20LTM_F085P |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 5V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 200V |
| Detailní popis | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
| UPS | www.UPS.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
| TNT | www.TNT.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
