Part Number | GA10JT12-263 | Výrobce | GeneSiC Semiconductor |
---|---|---|---|
Popis | TRANS SJT 1200V 25A | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Dostupné množství | 4583 pcs | Datový list | GA10JT12-263.pdf |
Vgs (th) (max) 'Id | - | Vgs (Max) | - |
Technika | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Dodavatel zařízení Package | - |
Série | - | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 10A |
Ztráta energie (Max) | 170W (Tc) | Obal | Tube |
Paket / krabice | - | Ostatní jména | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
Provozní teplota | 175°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V | Typ FET | - |
FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | - |
Drain na zdroj napětí (Vdss) | 1200V | Detailní popis | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
---|---|---|
DHL | www.DHL.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
UPS | www.UPS.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
TNT | www.TNT.com | Od 35,00 Kč základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |